SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Различия

  • Выше скорость записи
    6.8 left arrow 6.4
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 43
    Около -59% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.3 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    43 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.7 left arrow 12.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.8 left arrow 6.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1314 left arrow 1732
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения