RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
43
Wokół strony -153% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3731
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link