RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.3 left arrow 8.6
    Średnia wartość w badaniach
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    26 left arrow 46
    Wokół strony -77% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.9 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 26
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.5 left arrow 12.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.3 left arrow 8.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2048 left arrow 2128

SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB Porównanie pamięci RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Pamięć RAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Pamięć RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Pamięć RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Pamięć RAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Pamięć RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Pamięć RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Pamięć RAM