RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3755
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link