SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    41 left arrow 43
    Wokół strony 5% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11 left arrow 10.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.2 left arrow 7.1
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    41 left arrow 43
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.1 left arrow 11.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.1 left arrow 7.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1484 left arrow 1393
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania