SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

总分
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

总分
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    41 left arrow 43
    左右 5% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21% 更高的带宽
  • 更快的读取速度,GB/s
    11 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    7.2 left arrow 7.1
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    41 left arrow 43
  • 读取速度,GB/s
    10.1 left arrow 11.0
  • 写入速度,GB/s
    7.1 left arrow 7.2
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1484 left arrow 1393
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RAM 1
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