RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2395
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link