RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
68
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,013.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,402.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,013.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
701
2739
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link