RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3364
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link