RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
70
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
52
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2176
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link