RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
63
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3083
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link