RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
87
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3519
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link