RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
87
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3147
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link