RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
85
Wokół strony 71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
1277
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link