RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
96
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3336
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link