RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
94
Por volta de -176% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
34
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
11.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
2962
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link