RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
94
Около -176% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
34
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2962
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link