Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Pontuação geral
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 65
    Por volta de -124% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.8 left arrow 6.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.8 left arrow 4.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 8500
    Por volta de 2 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    65 left arrow 29
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6.1 left arrow 15.8
  • Velocidade de escrita, GB/s
    4.2 left arrow 11.8
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    985 left arrow 2711
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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