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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
6.1
15.8
写入速度,GB/s
4.2
11.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
2711
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
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