Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 34

Por volta de 18% menor latência

Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.7 12.4

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.3 9.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2329 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns