RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 34
    Около 18% меньшая задержка
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 12800
    Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2329 left arrow 2584

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
модули RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
модули RAM