RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
56
Por volta de 57% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
56
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2296
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link