RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2849
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link