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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de 41% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
41
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3146
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB Comparações de RAM
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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