RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
31
Por volta de 23% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3084
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link