RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
32
Por volta de 25% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
32
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link