RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3389
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB Comparações de RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link