RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
65
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
65
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link