RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
36
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
36
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link