RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
24
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.6
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
18
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
18.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3607
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link