RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
41
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
41
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2458
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link