RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
47
Por volta de 49% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
47
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3099
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link