RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2259
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link