RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
39
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
39
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2297
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link