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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
28
Por volta de 14% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2833
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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