RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
31
Por volta de 23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link