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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
84
Por volta de -250% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
3.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
84
24
Velocidade de leitura, GB/s
5.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
3.6
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2925
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Comparações de RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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