RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
37
Por volta de -19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
9.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2361
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link