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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
77
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
1,308.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
77
Velocidade de leitura, GB/s
3,573.5
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,308.1
6.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
371
1549
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Comparações de RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
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