RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
77
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.9
1,308.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
77
Скорость чтения, Гб/сек
3,573.5
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,308.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
371
1549
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link