RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Pontuação geral
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
42
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
6.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.0
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1396
3509
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Comparações de RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link