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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
63
Por volta de -174% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
5.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
23
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.0
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1274
3171
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparações de RAM
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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