RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
73
74
Por volta de -1% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,201.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
73
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
8.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
1744
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link