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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
38
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.9
10.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2608
2829
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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