Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Pontuação geral
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Pontuação geral
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    43 left arrow 73
    Por volta de 41% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.2 left arrow 14.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 73
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.9 left arrow 15.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2506 left arrow 1843
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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