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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Pontuação geral
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
73
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
14.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
73
Velocidade de leitura, GB/s
14.9
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2506
1843
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparações de RAM
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
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