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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
59
Por volta de -74% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
14.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3415
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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