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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
16.6
写入速度,GB/s
2,123.3
14.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3415
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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