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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
46
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.5
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2364
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
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