RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
12.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2487
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link