RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
60
Por volta de -131% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
26
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
14.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3204
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link